Гибридный УМЗЧ без ООС.

Форум » Гибридные усилители » Гибридный УМЗЧ без ООС. » Ответить

Гибридный УМЗЧ без ООС.

Сергеев Сергей: Схема гибридного усилителя В.Петрушишина. на лампах 6н6п и полевиках. http://tubeaudi.ucoz.ru/index/0-24

Ответов - 273, стр: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 All

Bobby_ii: Соотв. приходим к вопросу ФИ и согласованию драйвера (ФИ) с Цирклотроном. Я считаю, что чем ближе ФИ к потребителю - тем лучше. Чем меньше половинки сигнала порознь ходят. Исходя из этого получаем, что лучший ФИ - транс ... или виртуальный ФИ - резистор с виртуальной землей :-). Если делать Цирклотрон по "классической" схеме - ИП, его входная емкость составит несколько сотен пФ. Если делать ИТУН (ОИ) - единицы нФ (на транзисторах 2SK1056 или BUZ900). Посчитать вх. емкость не умею - умею только "прикинуть в порядках". На всякий случай сравнение БУЗ900 и 2СК1056 по характеристикам: модель . package Vds,V Id,A Pd,W Vgs(off). Vds_sat . . Cis Coss Crss Ton Toff,ns крутизна сопр* 2SK1056 TO-3P 120V _7A 100W 0.15-1.45V max 12V 600 350 10 . . 180 60 . . 1А/В . . . 200 Ом 2SK1057 TO-3P 140V _7A 100W 0.15-1.45V max 12V 600 350 10 . . 180 60 . . 1А/В . . . 200 Ом 2SK1058 TO-3P 160V _7A 100W 0.15-1.45V max 12V 600 350 10 . . 180 60 . . 1А/В . . . 200 Ом BUZ900P TO-247 160V 8A 125W 0.15-1.5V . max 12V . 500 300 10 . . 100 50 . . 1.3А/В . . 200 Ом BUZ901P TO-247 200V 8A 125W 0.15-1.5V . max 12V . 500 300 10 . . 100 50 . . 1.3А/В . . 200 Ом BUZ900D TO-3 . 160V 16A 250W 0.1-1.5V . max 12V . 950 550 20 . . 160 80 . . 3А/В . . . 170 Ом BUZ901D TO-3 . 200V 16A 250W 0.1-1.5V . max 12V . 950 550 20 . . 160 80 . . 3А/В . . . 170 Ом BUZ900D SOT-227 160V 32A 500W 0.1-1.5V max 12V TBE TBE TBE . TBE TBE . 5-6А/В . . 100 Ом BUZ901D SOT-227 200V 32A 500W 0.1-1.5V max 12V TBE TBE TBE . TBE TBE . 5-6А/В . . 100 Ом Последние "страшные" в SOT-227 изнутри состоят из 4х "обычных" транзисторов. корпуса TO-3P и TO-247 практически не различаются. Почти не различаются и тр-ры в них ... БУЗ900Р чутка лучше чем 2эСК. BUZ-900D в ТО-3 пишут "DOUBLE DIE PACKAGE" Подозреваю, что там тоже 2xBUZ-900P :-) Пишут, что есть еще BUZ900CDP в ТО-246, но в даташите от них BUZ900DP в ТО-3PBL. *) "крутизну" и сопротивление посмотрел прикидочно по приведенным графикам. Возьмем к примеру модель . . . . package Vds,V Id,A Pd,W Vgs(off). Vds_sat . . Cis Coss Crss Ton Toff,ns крутизна сопр* BUZ900-901P TO-247 160V 8A 125W 0.15-1.5V . max 12V . 500 300 10 . . 100 50 . . 1.3А/В . . 200 Ом он чуть получше чем 2SK1056-8. В дальнейших расчетах прошу простить за безграмотность и ткнуть носом, как делать правильно: чтобы на нагрузке 8 Ом было 8В (1А), доп.смещение д.б. прим. 0,8В, Получаем Ку прим. 10 в ОИ или 0,9 в схеме с ИП. в схеме с ОИ (ИТУН) получается емкость 500+10*10=600пФ (у 2х плеч - 1,2нФ), надо сигнал 0.8В в схеме с ИП (ИНУН) получается емкость 500/10+10=60пФ (у 2х плеч - 120пФ), надо сигнал 9В "приведенная" емкость ОИ получается в 11 раз меньше :-) Возьмем какой-нибудь драйвер 50х50 :-) т.е. 50В пик-то-пик и 50кОм. Вполне ведь средний драйвер :-). Рассмотрим 3 варианта: - цирклотрон подключен к анодному резистору ДК, естественно, цирклотрон-ИП, 50кОм*60пФ( одно плечо) даст примерно 50кГц среза ... транс ... начнем с индуктивности первички - чтобы на 50кГц давала 20Гц "среза", первичка должна быть аж 400Гн. По-моему, звездолётная ёмкость. Ладно. посчитаем для нее. - трансформаторный цирклотрон, ИП. Ктр надо 2:1+1, прив. емкость будет 0,6нФ ... при 400Гн получим рез. контур на 300Гц. - трансформаторный цирклотрон, ОИ. Ктр надо 20:1+1, прив. емкость будет 60пФ ... при 400Гн резонанс будет прим. 3000Гц Какие выводы? - Сопротивление ДК должно быть хотя бы раз в 10 меньше. Т.е. 5кОм. Крутизна для получения 50В пик-пик д.б. порядка 5мА/В. Вроде реально. Тогда индуктивность первички может быть 40Гн. Уже возможно. Тогда резонансы будут 3кГц и 30кГц. Соотв. чтобы вынести резонанс первичка-прив.емкость цирклотрона-ИП за ЗвуковойДиапазон, надо еще в 10 раз уменьшить сопротивление ДК (500 Ом при Ку=12.5), что мало реально на лампах. или Можно применить не 1каскад на мощных ПТ, а составной тр-р, например ПТ-БПТ который будет обладать меньшей вх. емкостью.

DACKOMP: В корпусе SOT227 - это 4 кристалла BUZ900 , и называется сие - BUZ900X4S . BUZ900D - просто спараллелены 2 кристалла BUZ900 . Есть полный клон BUZ900 - это EXICON 10N20 . Кстати, делают их на одном заводе. Единственном в Мире.... Кстати, 2SK1058 - тот же кристалл...... только + стабилитрон в затворе.. Я думаю это отбраковка, которая корпусируется в Сингапуре.... Вполне реально, если на цену посмотреть.... Bobby_ii , если есть нужда - могу поделится EXICON ECF10N20 , корпус TO-3 .

Bobby_ii: DACKOMP пишет:если есть нужда - могу поделится EXICON ECF10N20 , корпус TO-3Спасибо. Интересное предложение. Цирклотрон ваять собираюсь. Но лучше сам :-) Посмотрите пожалуйста, стоит ли покупать это: http://www.electronshik.ru/card/buz900-92545# http://www.electronshik.ru/card/2sk1058-102340# как-то уж больно дешево. или http://www.rtkt.ru/catalog/firm/661/ 2sk133/4/5 от Хитачи - тоже "клоны"? ALF08N16/20 ??? ALF16N16/20 ??? Я правильно понимаю, что альтернатив для аудио фактически нет?

DACKOMP: Bobby_ii пишет: 2sk133/4/5 от Хитачи - тоже "клоны"? Да тут немного не так было...... Это те латеральные , с которых всё началось. Так сказать - прародитель. Ну а так - да , это то же самое...... Они тоже со стабилитроном . Хитачи первыми сделали "горизонтальные" мощные полевики. А потом SEMEFABу всё отдали производство. О ценах - на 2SK1058 вполне нормальная цена. А вот BUZ9OO или EXICON - это дорогие транзисторы.... даже с завода оптом они в пределах 8-10 фунтов стерлингов............... Так что у нас их дешевле 600 руб . за штуку и не купить........ Кстати, я уже писАл о подделках и что у них не так. Вот можно почитать. https://sites.google.com/site/konstrukciiotua1ong/Home/rss-88-6p14p-s-os/grusi-i-osy/igra-v-robinzona-kruzo/4p1l-gu15/malipusik/dvuhtakt-gu-32-gmi-6/6n8s-6p6s-1/poslednij-100procentnyj-pokemon/2sk-1058-1056 Палыч, он плохого не насоветует. ALF08N16/20 ??? ALF16N16/20 ??? Я поспрашивал у народа , говорят - это просто новая маркировка. И это тот же lateral mosfet , что и buz900 и 10n20 Тот же SIMELAB LIMITED. http://products.semelab-tt.com/pdf/magnatec/ALF08N16K%20ALF08N20K.pdf

Bobby_ii: DACKOMP пишет: Кстати, я уже писАл о подделках и что у них не так. Где? То, что Владимир описывает, похоже скорее на дохлый транзюк, чем на подделку. Или там внутри что-то другое? Кстати, использование в цирклотроне наноперма или иного материала с узкой петлей гистерезиса - не дурная идея. Я пытаюсь понять влияние тех или иных нюансов на звук... Попробую изложить свою точку зрения примитивным языком. Вот есть транс с гистерезисом. Посмотрим, как работает. Вот идет ток(поле) в одну сторону - намагничивание идет по одной стороне петли, эта сторона крутая, дифференциальный Мю большой, дифф. индуктивность большая, ток, "уходящий" в намагничивание сердечника малый. Теперь изменим напр. сигнала. Намагничивание пойдет по частной петле, точнее по горизонтальной ее части: дифф Мю мал, дифф. индуктивность мала, ток, уходящий в намагничивание, получит импульс. Вот теперь подумаем, как это отразится на звуке. Если на трансформатор работает каскад с низким сопротивлением, он это бросок тока переварит, не поперхнувшись. Если каскад с высоким выходным - получим бросок напряжения. Чем выше сопротивление - тем выше искажения. Чем шире петля - тем выше искажения. Причем искажения будут высоких порядков (не первые гармоники). обсуждается в т.ч. здесь Несмотря на отзывы Нагорного, Пронина, ... о преимуществе трансформаторного цирклотрона над конденсаторным (причем и у Нагорного и у Пронина трансы на железе), появилась мысль о том, что возможно в конденсаторном гадитъ больше не конденсатор, а ФИ и длинный ход половинок сигнала :-). соотв. появилась идея о конденсаторном ЦК, но с инвертором на резисторе :-). Т.е. сигнал для ЦК берется с концов анодного резистора драйвера через конденсаторы.

DACKOMP: Bobby_ii пишет: Где? То, что Владимир описывает, похоже скорее на дохлый транзюк, чем на подделку. Ой.............Да даже "распайка" не совпадает у подделок. Один Китаец уже годика 3 выпиливает 2sk1058 из IRFP150 . И нормально так Россияне покупают. Потом, правда , прозревают....

Bobby_ii: Хм ... займемся транзистороведением ... IRFP150N FairChaild G-D-S IRFP150N IRF G-D-S ALF08N16V G-S-D 2SK133 - TO-3 2SK1056 G-S-D BUZ900P G-S-D ECF10N16 G-S-D С распиновкой понятно. модель . package Vds,V Id,A . . .Rds . Pd,W Vgs(off). Vds_sat . . Cis Coss Crss Ton Toff,ns крутизна сопр* IRFP150N G-D-S . 100 . 42/140 0.036 . 160 . 2-4 . . . . . ~20 . . . .1900 450 230 15-24 60-90 35A/B . . - ECF10N16 G-S-D . 160 . 8 125 . . . . . . . . . . 0.15-1.5 . . . 12 . . . 500 . 300 10 . . 100 . 50 . . 1А/В . . . 200 Ом Вопрос: есть ли способ понять, где сток где исток, не разбирая транзистор? Например тестером? Теперь с характеристиками ... у 150го - 35А/В (по графикам, против 1-1,3А/В), Vgsth 2-4V (против 0,15-1,5) Ну емкости конечно ... вроде как на первый взгляд. На самом деле из-за более высокой крутизны изменения напряжений будет в десятки раз меньше, соотв. и входная емкость каскада может оказаться вполне сравнимой. А вот Миллеровская будет - звёздная :-) стоят порядка 50руб. Бывают и по 25-100

DACKOMP: Bobby_ii пишет: А вот Миллеровская будет - звёздная :-)А если истоковый повторитель .............то есть каскад с общим стоком...................... Что, кстати , и в том цирклотроне. Bobby_ii , а Вы ликбез себе таким образом устраиваете? Картинки корпусов приводите... В корпусе 247 и 2 диода шоттки ещё есть. Вы бы лучше поинтересовались отличиями "вертикальных" и "горизонтальных" полевиков. А то сравниваете их... не с той позиции. Обратите внимание на "термостабильную точку". Те же IRFP150 могут доставить много сюрпризов , когда "вразнос" пойдут. А латералы этому не подвержены. На Вегалабе хорошо всё расписано. К сожалению я не могу ссылки дать...

ALSS: Bobby_ii пишет:Вопрос: есть ли способ понять, где сток где исток, не разбирая транзистор? Например тестером? Между стоком и истоком у мощных полевиков диод получается. Паразитный технологический - ничем его не уберешь, поэтому его характеристики улучшили и стал он защитным. Включен в закрытом состоянии, т. е. при прозвонке тестером определяется. Но - при касании тестером в режиме омметра затвора он может получить как открывающее напряжение, так и закрывающее. При открывающем за счет отсутствия (практически) утечки транзистор открывается и представляет собой КЗ между стоком и истоком. Так что перед (и после) измерением все ноги соединить между собой для разрядки и строго оценивать результат. Без тренировки и разрисовки трудно поначалу.

Bobby_ii: Устраиваю. Это лучше чем оставаться безграмотным модель производитель package . . . . DD* Zenner S . . . . Cis Coss Crss Ton Toff,ns 2SK133 Hitachi . . . . . . .TO-3 . . . . . . + . . + . . . 0.7-1.4 600 350 10 . . 180 . 60 2SK1056 Renesas . . . . .TO-3P. . . . . . + . . + . . . 0.7-1.4 600 350 10 . . 180 . 60 BUZ900P MagnaTEC, SEMELAB TO-247 + . - . . . . 0.7-2 . . 500 300 10 . . 100 . 50 BUZ900D MagnaTEC, SEMELAB TO-3 . + . - . . . . 1.4-4 . . 500 300 10 . . 100 . 50 (2 кристалла впараллель - забъем на них) ALF08N16K SEMELAB-ТТ TO-3 . . . . . . + . . - . . . 0,7-2 . . 500 300 10 . . 100 . 50 ALF08N20V SEMELAB-ТТ TO-247 . . . . + . . - . . . 0,7-2 . . 500 300 10 . . 100 . 50 ECF10N16 EXICON . . . . ТО-3, ТО-247 + . . - . . . 0,7-2 . . 500 300 10 . . 100 . 50 ... странно ... нигде не нарисован/не написан зеннер, но вроде как он подразумевается т.к. есть спецсерия -Z где написано "No gate zener" ECF - в железе ТО-3 ECW - в пластике ТО-264 ЕСХ - в пластике ТО-247 спецовая аудио-серия с пониженным Vds_sat аж до 10В !!! вообще похоже на "шаражкину контору" - в даташитах ошибки/опечатки, ... . Вот хотел спросить: значит ли это, что 100пФ входной емкости дает зеннер? или зеннер есть везде? а 2SK133-4-5 и 2SK1056-7-8 - одно и то-же под разными брэндами? а всё остальное - оно-же но усовершенствованное (чуть ниже емкости, чуть ниже времена, чуть выше крутизна)? *)DD - DrainDiode (ProtectionDiode) **)GPD - GateProtectionDiode (Zenner) Renesas - как я понимаю, СП Mitsubishi & Hitachi c 1 april 2003 TT electronics Semelab Limited - вроде Англицкая контора с 1974г. MagnaTEC - вообще фиг знает что ... а вот, нашел: MagnaTEC is a specialist distributor of power system semiconductors within TT electronics Semelab Limited. Founded in 1989 EXICON - фигня какая-то ... нашел по телефону/факсу: http://www.my-nemesis.com/distributors/ Exicon is Profusion's own "house brand", under which we are able to offer components we believe have exceptional value to the audio design community. The Exicon lateral MOSFET range is ideal for audio amplifier designs, offering high voltage capability, high slew rate, low distortion, and freedom from secondary breakdown and thermal runaway. Products: Lateral MOSFETs еще один брэнд - Nemesis Technology, Inc. "Founded in 1997 and incorporated in 2003, Nemesis Technology, Inc. is a technology and services company specializing in audio digital signal processing (DSP) applications. President David J.A. Simpao"

Bobby_ii: ALSS смешная и очевидная мысль. Спасибо. DACKOMP пишет: Вы бы лучше поинтересовались отличиями "вертикальных" и "горизонтальных" полевиков. А то сравниваете их.......... не с той позиции. Обратите внимание на "термостабильную точку" .Век живи - век учись. Пойду дальше курить мануалы :-)

Bobby_ii: Надо-же ... что-то накопал, записал, а оно тю-тю ... минус 4 часа жизни ...

Bobby_ii: Power MOSFETs with lateral structure are mainly used in high-end audio amplifiers and high-power PA systems. Their advantage is a better behaviour in the saturated region (corresponding to the linear region of a bipolar transistor) than the vertical MOSFETs. Vertical MOSFETs are designed for switching applications. Силовые МОСФЕТы с латеральной (боковой) структурой используются в основном в Х-Э аудио усилителях и РА-системах высокой мощности. Их преимущество в лучшем поведении в области насыщения (соответствующей линейной области у биполяров) чем у МОСФЕТов с вертикальной структурой. МОСФЕТы с вертикальной структурой разработаны для переключающих применений. МОСФЕТы с вертикальной структурой - те, исток и сток которых находятся на разных сторонах кристалла. вертикальные Vertical_V-shaped MOS, Vertical_U-shaped MOS , Vertical_Double-Diffused MOS. А это видимо латеральные (боковые) ...

Bobby_ii: Структура HEXFET подразумевает организацию в одном кристалле тысяч параллельно-включенных МОП-транзисторных ячеек, образующих шестиугольник. Такое решение позволило существенно снизить сопротивление открытого канала RDS(on) и сделало возможным коммутацию больших токов. С точки зрения классификации полевых транзисторов HEXFET относятся к полевым транзисторам с индуцированным каналом, т.е. работают в режиме обогащения канала неосновными носителями, что приводит к инверсии его проводимости. Такие транзисторы открываются только при подаче определенного напряжения между затвором и истоком. Полярность этого напряжения зависит от типа проводимости канала в открытом состоянии. У n-канальных транзисторов это напряжение положительное, а у p-канальных - отрицательное. Напряжение между затвором и истоком, способное вызвать протекание тока между стоком и истоком называется пороговым (VGS(TH)).

Bobby_ii: А вот картинки с названием "Renesas Deep-Trench Method" По "точке термостабильности" информации не нашел. Примерно понимаю как то, что Vgs_th зависит от температуры. Как я понял, если для наших "пятеро из ларца - одинаковы снутри" Vgs_th указано 0.15-1.5В, температура канала 150С, то понимать это надо как 1,5в при 25С и 0,15 при 150С, т.е. меняется довольно сильно. Примерно так: В свою очередь температура - функция рассеиваемой мощности. тр-р нагревается - Vgs_th уменьшается - ток при фиксированном смещении увеличивается - увеличивается рассеиваемая мощность - температура - ... Наверное лучше смотреть по этому графику: получаем при 10В С-И и 2В З-И примерно 0,2-0,3 А/50С т.е. при тех-же 10В и смещении 2В ток прим. 1А (25С), выделяемая мощность 10Вт Указанное тепловое сопротивление для железяки и для пластика - 1С/Вт, соотв. темп. кристалла поднимется на 10С ток увеличится на 0,04А, что даст еще 0,4Вт и 0,4С :-). Видим, что сей "ряд" хорошо сходящийся :-). Посмотрим на режим 3В/30В/3А - 90Вт - +90С - +0,5А - +15Вт (уже 105Вт - выше 100 заявленных) - +15С - +0,1А - ... т.е. получим порядка 145С (25С+120С), 120Вт и 4А. Из живого тр-ра получаем дохлый.

Bobby_ii: рассуждение о параметрах выходного тр-ра: пусть работаем на 8 Ом. Надо 20Вт в пике, т.е. 20В на нагрузке. Добавим 10В запаса - получаем +-30В питание. Т.е. транзистор надо на 80В или больше. Таких много. Ток +-2.5А (пик), соотв. если класс А, то надо и ток покоя больше 2.5А, скажем, 3А. Тогда средняя мощность, выделяемая на тр-ре в покое будет 90Вт. С учетом того, что радиатор на работающем УМ нагревается примерно до 50-70С, температура кристалла при 90Вт и 1С/Вт составит 140-160С. Температура перехода (видимо, предельная) - 150С. Получаем, надо сильно ускромнять требования или ставить параллельные тр-ры. Даже если импеданс АС с кроссовером не ниже 8 Ом, пиковая мощность, рассеиваемая на тр-ре будет не менее 150Вт (3А, (20+30)В). Как посчитать максимальную - пока не соображу.

DACKOMP: Интересные рассуждения. Хотя 20 вольт на нагрузке - это уже 50 Ватт ....... Если на 8 Ом....

ГДН: Bobby_ii пишет:пусть работаем на 8 Ом. Надо 20Вт в пике, т.е. 20В на нагрузке. Как справедливо заметил коллега DACKOMP, 20 В на 8 Ом, это 50 Вт. Даже если обратить внимание на просторечное выражение "в пике", что можно трактовать как "при амплитудном значении напряжения", получим (20*0,707)^2/8 ≈ 25 Вт. Ток +-2.5А (пик), соотв. если класс А, то надо и ток покоя больше 2.5А, скажем, 3А. Тут самостийная терминология опять затрудняет понимание. Что подразумевается под этим "пиком"? Для справки: ток покоя в классе А считаем по формуле Ia = (P/2Rн)^0,5 … Для первого случая (50 Вт) получим 1,77 А, для второго (25 Вт) – 1,25 А Тогда средняя мощность, выделяемая на тр-ре в покое будет 90Вт. "Средняя мощность в покое" выражение… странное. Еще какя-то бывает в покое, например, "пиковая"? Мощность же рассеиваемая одним транзистором в режиме покоя будет 53 Вт для первого случая и 37,5 Вт для второго. К тому же, для второго случая питание ±30 В явно много… Даже если импеданс АС с кроссовером не ниже 8 Ом, пиковая мощность, рассеиваемая на тр-ре будет не менее 150Вт (3А, (20+30)В). Тут уже совсем ничего не понял. Я где-то краем уха слыхивал ( ), что мощность рассеиваемая на "тр-ре" в классе А в режиме покоя и есть максимальная. Больше уже не будет ни при каких "пиках", а "(20+30)В" есть форменное "непоймичего". Подтвердить (проверить) это не трудно.

Пермяк: Запутались совсем в этих "пиках". Раньше была синусоидальная: Номинальная - до ограничения амплитуды синуса. Максимальная - с ограничением синуса, но при Кг не более 10%. Всё. А сейчас навыдумывали: музыкальная, пиковая, и Бог знвет ещё какая. Это всё - для маркетинга (втюхивания товара) мозги дурят. А мы тут подхватываем, только разобраться вот не можем.

ГДН: Леонид, главное, чтобы коллега Bobby сам себя понял, а уж мы-то как-нибудь подтянемся... Что касаемо мощности, то, сдается мне, он таки имел ввиду "синусоидальную номинальную" (до ограничения амплитуды синуса).

полная версия страницы